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电磁炉IGBT .FGA15N120ANTD*原装
批号：
11+
材料：
N-FET硅N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
是否提供**：
是
型号/规格：
FGA25N120ANTD
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
用途：
A/宽频带放大
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
封装：
TO-*
产品信息
号 | 反压V | 电流A | 类型 | 厂家 |
FGA15N120ANTD | 1200 | 15 | NPT技术 | *童(FAIRCHILD) |
FGA25N120ANTD | 1200 | 25 | NPT技术 | *童(FAIRCHILD |
HGTG5N120BND | 1200 | 21 |
| *童(FAIRCHILD) |
HGTG18N120BND | 1200 | 50 |
| *童(FAIRC |
电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管，常用的电磁炉IGBT型号有：FGA25N120ANTD FGA15N120AND。在维修代换时，内部都带阻尼二*管，若采用不带阻尼二*管的功率场效应管，应在D、S*间加接一只阻尼二*管，该二*管*须是快恢复型阻尼二*管，加接时正*接S*，负*接D*即可。为*烧管，可以在负载电磁线圈和功率管之间串一只100W的灯泡再通电试机